IGBT-модуль SKM100GB12T4

IGBT-модуль SKM100GB12T4 — силовой модуль для промышленной электроники

SKM100GB12T4 — это высоконадежный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для использования в системах с высокими токами и напряжениями. Данный модуль применяется в промышленных приводах, инверторах, сварочных аппаратах, источниках питания, а также в оборудовании для лазерной резки и других высоконагруженных установках.

Модель отличается оптимальным сочетанием высокой коммутационной скорости, надёжности и термостабильности, что делает её идеальным решением для применения в условиях непрерывной эксплуатации.

Технические характеристики:

• Маркировка: SKM100GB12T4

• Тип: IGBT-модуль с изолированным основанием

• Номинальное напряжение (Vces): 1200 В

• Максимальный ток (Ic): 100 А

• Тип корпуса: SEMITRANS 2

• Производитель: SEMIKRON

• Применение: силовая электроника, преобразователи частоты, инверторы, сварочные установки, ЧПУ, лазерные станки

Преимущества модуля SKM100GB12T4:

• Надёжность при длительной эксплуатации в условиях высоких нагрузок

• Эффективное тепловыделение и простота установки

• Устойчивость к скачкам напряжения и токовым перегрузкам

• Подходит для работы в автоматизированных системах с высокими требованиями к точности и стабильности

• Совместимость с широким спектром оборудования

Область применения:

• Промышленные лазерные комплексы

• Частотные преобразователи и инверторы

• Оборудование для сварки и резки металла

• Электроприводы и системы управления станками

• Источники бесперебойного питания и силовые блоки

Как купить:

Вы можете заказать IGBT-модуль SKM100GB12T4 через сайт ST Сварочные технологии, воспользовавшись формой быстрой покупки, либо оформить заявку по электронной почте:
📩 info@st-e.info

При необходимости предоставим дополнительную информацию о совместимости, наличии на складе и сроках поставки.

SEMIKRON предлагает IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором)

Биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT является трехтерминальным силовым  полупроводниковым устройством, отличающимся  высокой эффективностью и быстрым переключением. IGBT сочетает в себе преимущества биполярных транзисторов высокой скорости коммутации и способности проводить большие токи.

Характеристики: